При включении полупроводникового фотоэлемента на нагрузку рис. С увеличением светового потока фото-ЭДС растет по нелинейному закону рис. Значительно выше по сравнению с фотодиодами интегральная чувствительность у фототранзисторов.
19 Схема включения фотоэлемента
Список форумов m. Обсуждаем цифровые устройства Типовая схема подключения фотоприемника. Я новичок в этом деле, такой вопрос Как осуществить подключение к мк И как работает такая схема с фотоприемником, засчет возникновения напряжения при освещении?? Спасибо за любой ответ.
Главная страница. Фототранзистор представляет из себя твердотельный полупроводник, который обладает внутренним усилением, и, как правило, применяется данный прибор для трансмиссии передачи аналогового и цифрового сигнала. Схема фототранзистора совпадает с основами обычного транзистора, именно поэтому его аналогом принято считать фотодиод. Стоит отметить, что отличительной особенностью вышеназванного устройства является не только способность реагировать на различные виды излучений и освещений, но и повышенная чувствительность, позволяющая применять его в различных устройствах, связанных с зависимостью потока света. К таковым можно отнести следующие:. Безусловно, как и в ситуации с фотодиодами, к главной задаче фототранзистора необходимо отнести образование полезного и качественного напряжения из светового потока.
В приложениях для обнаружения и измерения освещенности чаще всего используются фотодиоды. Но нельзя обойти стороной тот факт, что фотодиоды производят очень малые выходные токи, и это может привести к проблемам при проектировании, которых вы, возможно, в определенных ситуациях предпочтете избежать. Для того, чтобы иметь информацию об альтернативах данному непростому решению, в этой статье будет представлена основная информация о другом типе светочувствительных устройств, которые производят более высокий выходной ток, чем фотодиоды: фототранзисторы. Фотодиод может генерировать фототок, потому что на его переход падает свет. Фототранзистор работает аналогичным образом, за исключением того, что открытый полупроводниковый материал является базой биполярного транзистора BJT.